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臺積電超殺利器!ASML最強機臺飆出天價 200公噸運送大揭密

臺積電超殺利器!ASML最強機臺飆出天價 200公噸運送大揭密

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ASML新一代曝光機2024年出貨,下單客戶包括臺積電、英特爾和三星。(示意圖/達志影像/shutterstock)

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儘管全球經濟環境不佳,衝擊半導體需求,但荷蘭半導體微影設備大廠艾司摩爾(ASML)依舊看好長期產業前景。韓媒報導,ASML新一代高數值孔徑極紫外光(High-NA EUV)設備,用於2奈米、甚至更小尺寸製程,預計2024年開始交貨,一臺要價約3億至3.5億歐元之間(約臺幣96.6億至113億元),目前大咖客戶包括臺積電、英特爾、三星都已下訂。由於新一代 High-NA EUV曝光機比前一代體積大30%左右,重量超過200 公噸,至少需要三架波音747分批運送。

韓聯社報導,目前極紫外光(EUV)機臺可支持晶片製造商,將製程推進到3奈米左右,但若要往更先進的2奈米制程,甚至更小的尺寸,就需要高數值孔徑極紫外光(High-NA EUV)設備。

當前EUV數值孔徑爲0.33,而High-NA EUV將數值孔徑提升到0.55,可以進一步提升分辨率(NA越大,分辨率越高),從0.33 NA EUV的13奈米分辨率提升到0.55 NA EUV的8奈米分辨率,透過多重曝光可達到2奈米及以下製程晶片的製造。

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近年來,臺積電、三星、英特爾在先進製程大戰打得火熱,紛紛大力投資更先進的3奈米、2奈米技術,以滿足高性能計算等先進晶片需求。而ASML新一代High-NA EUV機臺就成爲兵家爭奪的關鍵。

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今年9月,臺積電表示,2024年將取得ASML新一代High-NA EUV設備,其2奈米採用環繞閘極電晶體(GAAFET)架構,並於2025年量產,將是密度最小、效能最好的技術,業界也傳出首度採用High-NA EUV微影技術量產,進度可望超前對手三星與英特爾。

ASML透露,目前已接到多個EXE:5200(量產版High-NA EUV)訂單,包括三個邏輯廠和兩個記憶體廠;前者應指臺積電、英特爾和三星;後者則爲三星與SK海力士。

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路透先前報導,ASML新一代 High-NA EUV曝光機,因爲精密度更高、設計零件更多,比前一代體積大30% 左右,重量超過 200 公噸的雙層巴士,至少需要三架波音 747 分批運送。ASML最強機臺將用於生產下一代晶片,終端應用領域涵蓋手機、筆電、汽車、AI 等。

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